三极管如何驱动mos晶体管？a .三极管是电流控制元件，MOS管是电压控制元件；b .正常工作时，三极管的两个PN结一个正偏，一个反偏，MOS管的两个PN结都需要反偏；什么芯片驱动单个mosfet？什么芯片驱动单个mosfet？一般来说，只能驱动低端Nmos。单片机的输出电压不足以驱动mos晶体管，MOS晶体管的导通电阻比三极管低，驱动大功率负载时发热量会小很多。
1、…我想用光耦A3120,请问大佬们A3120是如何驱动MOS的?
你需要知道以下几个条件才能回答怎么开车:1。mos晶体管是N沟道还是P沟道？2.控制电压多少；3.需要完成什么功能，逆变器还是升压/降压。最后一张图，A1320没找到型号。这个A3120应该和HCPL3120一样。输入为23脚，功能和普通光耦一样，只是输出为67脚，速度更快，更适合驱动IGBT。里面有集成电路，电流比普通光耦稍大，所以上下(VCC
2、问下各位电子发烧友驱动MOS栅极直接用光耦可以不为啥还要用专业驱动…
MOS晶体管驱动器需要对栅极进行快速充放电，以降低晶体管的开关损耗。使用特殊驱动电路或芯片的目的就是为了起到这个作用。因为光耦里只有一个三极管，所以开车的时候只能快充或者快放。另外，光耦驱动负载的能力有限，所以大功率MOS晶体管在快速开关过程中需要很高的驱动能力。
3、用三极管直接驱动MOS可以吗,需要注意点什么?
没问题。一个1kω电阻与G极串联，一个10nf电容接地。刚开始的时候注意用万用表监测Vgs不要超标，注意发热。一般来说，只能驱动低端Nmos。答案是肯定的！具体可参考以下分析:不过，MOS驱动有几个特殊要求。1.对于低压应用，当使用5V电源时，如果此时使用传统的图腾柱结构，由于晶体管的be有0.7V左右的压降，实际最终施加到栅极的电压只有4.3V。
使用3V或其他低压电源时也会出现同样的问题。2、宽电压应用输入电压不是一个固定值，它会随时间或其他因素而变化。这种变化导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压不稳定。为了让MOS晶体管在高栅压下安全，很多MOS晶体管都内置了电压调节器，强制限制栅压的幅度。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压器的电压时，将导致大的静态功耗。
4、单片机输出电压不够驱动mos管
Description MOS晶体管的导通电阻比三极管低，驱动大功率负载时，发热量会小很多。MOS管和三极管的驱动差别很大。MOS管是电压驱动元件。如果驱动电压达不到要求，MOS就不能完全导通，内阻变大，导致过热。MOS晶体管驱动电路MOS晶体管分为N沟道和P沟道两种。n沟道用于控制电源负极，P沟道用于控制电源正极。它们之间的直接控制信号电压也有差异。
MOS晶体管n MOS和PMOS之间还是有很大区别的。NMOS的导通电阻一般小于PMOS，制造成本较低。所以大功率控制场合一般选用NMOS，当然也要根据控制电路的逻辑关系来选择。以NMOS为例，当Vgs大于最小控制电压阈值时，MOS管会导通，但其导通电阻无法达到最小设计值，需要有足够的控制驱动电压来保证其导通电阻。
5、如何用3.3V单片机驱动mos管
需要注意的是，MOS大功率开关的栅极电压要足够高。一般来说，可以认为MOS在4.5V左右饱和并开启(参见IRF3205参数)。当然，栅极不能太高，不能超过20V。不知道你的电路能不能有5V以上的其他电源？如果不是，只用3.3V不可靠电机转速可能不够，因为MOS管处于放大状态，容易烧坏MOS管。如果用24V驱动，MOS管的栅极可以接一个5V左右的稳压器，防止过压。
6、三极管是怎么驱动mos管的?
晶体管是电流控制型电流器件，集电极电流的变化受基极电流的变化控制。具有NPN晶体管(简称P晶体管)和PNP晶体管(简称N晶体管)的MOS晶体管是一种压控电流器件，它控制漏极电流随栅极电压的变化而变化。G类通过一个1k欧姆电阻和一个10nf电容接地。因为它是一只猴子。a .三极管是电流控制元件，MOS管是电压控制元件；b .正常工作时，三极管的两个PN结一个正偏，一个反偏，MOS管的两个PN结都需要反偏；
7、驱动单个mosfet管用什么芯片
驱动单个mosfet管芯片。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管，可广泛应用于模拟和数字电路中。根据其“沟道”(工作载流子)的极性，MOSFET可分为“N型”和“P型”两种，俗称NMOSFET和PMOSFET，其他简称还有NMOS和PMOS。
因为MOSFET中代表“金属”的第一个字母M在目前大多数类似的元器件中是不存在的。早期MOSFET的栅电极使用金属作为其材料，但随着半导体技术的发展，多晶硅被用来代替MOSFET栅电极中的金属，在处理器中，多晶硅栅不再是主流技术。自从Intel采用45nm线宽的P1266处理器后，栅极开始重用金属。