为什么偏置电源显示负压大于正压侧，差压变送器坏了，表现不好？1、负压大于正压侧，负压自然会表现为负压。什么是耗尽型，什么是增强型，固定负栅偏置电压的高低有什么特点？不知道你问的是电子管还是场效应管，衬底偏置，靶自偏置，板自偏置有什么区别？普通电子管的栅极为负偏置(右侧特征电子管为正偏置)。
1、怎样得到负电压
用10V IC替换9V IC。可以使用二次绕组中间有抽头的变压器，中间抽头作为接地端，然后整流滤波稳压(可以使用三端稳压集成块)得到正负双极电压。最简单的方法是采用全波倍压整流电路，这种电路有很好的平衡性。1.电荷泵提供的TTL电平/232电平转换芯片(如MAX 232、MAX 3391)是最典型的电荷泵器件，可以输出低功耗的负压。
你需要找到另一种方法。一片max232可以用来为液晶显示模块提供负偏置电压。TTLin接高电平，RS232out用10K电位器接LCM的VEE。这样不仅可以显示，还可以调节对比度。MAX232是一款双通道RS232驱动器，采用 5V电源。该芯片还包含两个 5V和10V的电荷泵电压转换器。高压电荷泵的设计需要更多的开关，用分立元件实现有点困难。
2、磁控溅射,基底偏压、靶材自偏压、极板自偏压的区别?大侠,帮帮忙…
在射频磁控溅射过程中，由于电子的迁移速度远快于离子的迁移速度，正半周期积累在靶上的电子数量远大于负半周期积累在靶上的离子数量，导致射频磁控溅射过程中负靶自偏压的建立。基片偏压是指为了增强膜基结合力，利用外部电源对工件框架或基片施加负偏压，吸引正离子。板块级别的自偏，没听说过。所谓自偏压，就是表面暴露在等离子体中时，接收到的离子和电子数量不同而形成的电位差。
在磁控溅射过程中，衬底偏压、靶自偏压和极板自偏压都是与电压和电场有关的概念，它们在磁控溅射过程中起着不同的作用。1.基片偏压:基片偏压是指在磁控溅射过程中，为了改变沉积粒子的能量和方向，人为施加在基片上的电压。通过改变衬底偏压，可以调节沉积颗粒与衬底表面的碰撞能量和角度，从而影响薄膜的结构、形貌和性能。衬底偏压通常由外部电源施加，该电源可以是连续的或脉冲的。
3、对于场效应晶体管,什么是耗尽型,什么是增强型,有什么区别,各有什么用途…
现在越来越多的电子电路在使用场效应晶体管，尤其是在声学领域。与晶体管不同，场效应晶体管是压控器件(晶体管是电流控制器件)，其特性更像电子管。它们具有高输入阻抗和大功率增益，因此噪声很低，因为它们是压控器件。场效应晶体管的结构图如图Ca所示。场效应晶体管是单极晶体管，它们只有。
漏极电流将降低(如图C1b所示)，当反向偏置达到一定水平时，耗尽区将完全被沟道夹断。此时，FET将进入关断状态，如图Cc所示。此时反向偏置称为夹断电压，用Vpo表示，它与栅电压Vgs和漏源电压Vds的关系可以表示为VpoVps |Vgs|，其中|Vgs|是Vgs的绝对值。
4、固定负栅偏压过高或过低有什么特点
不知道你问的是电子管还是场效应管。无论是电子管还是场效应管，栅极电压顾名思义就是电路工作时栅极所需的工作电压。如果是电子管电路，电子管的工作状态，当屏压固定时，栅极上所需的工作电压也叫栅极偏置。由于电子管的放大效应，栅极偏压的微小变化会使屏幕电流发生很大变化。普通电子管的栅极为负偏置(右侧特征电子管为正偏置)。
5、偏压电源为什么显示负压
负压大于正压侧，差压变送器坏了，性能不好。1、负压大于正压侧，负压自然会表现为负压，2.差压变送器坏了。当差压变送器本身损坏时，会出现这个问题，3.表现不佳。显示数字部分坏了，实际测得的压差和显示的数字不符，可以试着稍微改变压力，但是数字不会变。