ASEMI高压MOS晶体管16N65导通电阻rds(on16N65参数描述型号:16n 65封装:TO220特性:n沟道高压MOS晶体管电参数:16A650V正向电流(io): 16a静态漏源导通电阻(rds (on)): 0.55ω功耗(PD): 70w二极管直流电压(VSD)。:1.5V最大脉冲正向电流ISM:64A零栅压漏电流(IDSS): 1ua工作温度:55~ 150℃引线数:316N65 is TO220封装系列。
1、场效应管上面标8N60,7N605N60是什么意思可以通用吗?
是FET的名称和品牌，功率不同。n之前的数字是电流的整数值。n后面的数字60是耐压600v V，一般相同耐压大功率(大电流)的灯管可以替换小功率的灯管。在5N60中，5代表5 A的安培数，60代表600 V的电压..用大安培代替小安培是没有问题的，而不是相反。耐压是一样的，但是电流和功率不一样。如果功率不大，可以通用。8N60 FET 8代表最大电流8 A，60代表耐压600V，以此类推。
② 7N60属于N沟道FET，参数为//耐压:600V//电流:7A//T0220封装//。③那翔5N60属于N沟道FET，参数为//耐压:600V//电流:5A//T0220封装//。(4)、关于以上三类场效应管不可互换，原因是三类管的电流电阻不同。
2、ASEMI高压MOS管16N65导通电阻RDS(ON
16N65参数描述型号:16N65封装:TO220特性:N沟道高压MOS晶体管电参数:16A650V正向电流(IO): 16A静态漏源导通电阻(RDS (ON)): 0.55ω功耗(PD): 70W二极管直流电压(VSD): 1.5V最大脉冲正向电流ISM。
3、打字为A15HB的SOT23封装,像贴片三极管,请问是什么型号,要采购,急急…
Not A15、SI2301(印刷AISHB)SOT23 SMD晶体管MOS晶体管/FET。丝网印刷是AISHB，属于p沟道MOSFET场效应晶体管。主要参数晶体管类型:P沟道MOSFET最大功耗PD: 1.25 W栅mosfet VGS: 2.5 V(典型值)漏源电压VDS:-20 V(极限值)漏电流ID:Ta25时2.3A，TA70时:1.5A通态电阻rds (on): 0.145欧姆(典型值)栅漏电流IGSS: 100nA结温:55℃至150℃封装:SOT23(TO236)备选型号:wt2301wtc23
4、mos管漏源导通电阻
mos晶体管漏源导通电阻的计算公式为:Ron1/IRF从FET开始。不是普通的三极管。场效应管。场效应晶体管具体参数如下:晶体管极性:N沟道漏极电流Id最大值:82A电压Vds最大值:75V通态电阻，Rds(on):0.013欧姆电压@Rds测量:10V电压Vgs最大值:4V功耗:150W封装类型:to22oab引脚数:3功率Pd:150W封装类型:to22oab引脚间距:2.54mm晶体管个数:1晶体管类型:MOSFET温度@电流测量:25°C全功率温度:25。w电压Vgs@Rdson测量:10V电压Vds典型值:75V电流Id连续值:71A电流Idm脉冲:280A表贴器件:通孔贴装通态电阻Rds(on)@ Vgs 10v:0.013欧姆阈值电压Vgs(th)典型值:4V。建议多利用网络，网上的信息几乎都能找到。
5、什么是流散电阻、接地电阻和冲击接地电阻?
接地极的接地电压与通过接地极流入大地的接地电流之比称为杂散电阻。电气设备接地部分的接地电压与接地电流之比称为接地装置的接地电阻，等于接地线的电阻与杂散电阻之和。一般因为接地线的电阻很小，可以忽略不计。因此，可以认为接地电阻等于杂散电阻。为了降低接地电阻，往往将多个单接地极与金属体并联，形成复合接地极或接地极组。
换句话说，相当于增加了每个单个接地电极的电阻。这种影响电流分散的现象称为屏蔽，由于屏蔽效应，接地电极组的杂散电阻不等于每个单个接地电极的杂散电阻的平行值。此时接地极组的杂散电阻rdr D1/(nη)(1):rd1-单个接地极的杂散电阻n-单个接地极的个数η-接地极的利用系数，这与接地极的形状、单个接地极的个数和位置有关，上面所说的接地电阻是指在低频低电流密度下的测量，或者说是稳态下的测量。