什么是IGBT？在半导体领域中功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。一句话形容：电力电子行业里的CPU，IGBT约占电机驱动系统成本的一半，而电机驱动系统占整车成本的15-20%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。
1、什么是IGBT单管
引用单个IGBT元素。通常，变频器中使用的IGBT是双管的。IGBT单管到底是什么？IGBT(insulated gate bipolar transistor)是由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高、GTR导通压降低的优点。
IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1示出了N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构。N+区称为源区，附着其上的电极称为源极。N+区域被称为漏极区域。器件的控制区是栅极区，附着其上的电极称为栅极。沟道形成在栅极区域的边界附近。
2、IGBT是由哪两个电力电子器件发展而来的?
IGBT由PMOSFET和GTR发展而来。IGBT在PMOSFET的基础上，在PMOSFET的D级下面增加了一层P+区。IGBT具有PMOS开关速度快、电压控制、驱动电路简单、驱动功率低的优点，避免了PMOS导通时电阻率高的缺点。它具有GTR电流容量大、开通压降小的优点，避免了GTR开关速度慢、驱动损耗大的缺点。现在，GTR基本上不使用了。在高频(数十kHZ)和600V以下，使用PMOS。
3、 igbt是什么来的?(看介是个半导体
IGBT是继MOS晶体管之后的新一代开关元件，相当于串联了一个MOS晶体管和一个BJT。见百度百科，IGBT的主要特点是开通速度快，可以瞬间达到大电流驱动的最后阶段，栅极电压可以控制开关。因为是MOS管的栅极，输入电阻大，总的来说，它结合了MOS管和BJT的优点。但缺点是关断时间慢，目前，IGBT已广泛应用于分立器件和集成电路产品中，是电源应用中最重要的器件之一。